อะไรคือปัจจัยที่มีผลต่อการเป็นพิษเป้าหมายใน Magnetron Sputtering- Ningbo Danko Vacuum Technology Co., Ltd.

อะไรคือปัจจัยที่มีผลต่อการเป็นพิษเป้าหมายใน Magnetron Sputtering

ขั้นแรกการก่อตัวของสารประกอบโลหะเป้าหมาย

ในกระบวนการสร้างสารประกอบจากพื้นผิวเป้าหมายโลหะผ่านกระบวนการสปัตเตอร์แบบทำปฏิกิริยา เนื่องจากอนุภาคก๊าซปฏิกิริยาชนกันกับอะตอมบนพื้นผิวเป้าหมายเพื่อสร้างปฏิกิริยาทางเคมีเพื่อสร้างอะตอมสารประกอบซึ่งมักจะเป็นปฏิกิริยาคายความร้อนปฏิกิริยาจะสร้างความร้อนจะต้องมีวิธีการนำเข้ามิฉะนั้นปฏิกิริยาทางเคมีไม่สามารถดำเนินการได้ การถ่ายเทความร้อนระหว่างก๊าซเป็นไปไม่ได้ภายใต้สุญญากาศดังนั้นปฏิกิริยาทางเคมีจะต้องเกิดขึ้นบนพื้นผิวที่เป็นของแข็ง ผลิตภัณฑ์สปัตเตอร์ที่มีปฏิกิริยาจะดำเนินการบนพื้นผิวเป้าหมายพื้นผิวพื้นผิวและพื้นผิวที่มีโครงสร้างอื่น ๆ การสร้างสารประกอบบนพื้นผิวพื้นผิวเป็นเป้าหมายของเรา การสร้างสารประกอบบนพื้นผิวอื่น ๆ เป็นการสูญเสียทรัพยากร การสร้างสารประกอบบนพื้นผิวเป้าหมายในตอนแรกเป็นแหล่งของอะตอมสารประกอบ แต่ต่อมาก็กลายเป็นอุปสรรคในการจัดหาอะตอมสารประกอบมากขึ้นอย่างต่อเนื่อง

ประการที่สองปัจจัยที่มีอิทธิพลของการเป็นพิษเป้าหมาย

ปัจจัยหลักที่มีผลต่อการเป็นพิษเป้าหมายคืออัตราส่วนของก๊าซปฏิกิริยาต่อก๊าซสปัตเตอร์ ก๊าซปฏิกิริยาที่มากเกินไปจะนำไปสู่การเป็นพิษเป้าหมาย ในระหว่างกระบวนการสปัตเตอร์ปฏิกิริยาบริเวณช่องสัญญาณสปัตเตอร์บนพื้นผิวเป้าหมายจะถูกปกคลุมด้วยผลิตภัณฑ์ปฏิกิริยาของผลิตภัณฑ์ปฏิกิริยาจะถูกลอกออกเพื่อสัมผัสพื้นผิวโลหะอีกครั้ง หากอัตราการก่อตัวของสารประกอบสูงกว่าอัตราที่สารถูกถอดออกพื้นที่ที่ครอบคลุมโดยสารประกอบจะเพิ่มขึ้น ในกรณีของพลังงานบางอย่างปริมาณก๊าซปฏิกิริยาที่เข้าร่วมในการก่อตัวของสารประกอบจะเพิ่มขึ้นและอัตราการก่อตัวของสารประกอบเพิ่มขึ้น หากปริมาณของก๊าซปฏิกิริยาเพิ่มขึ้นมากเกินไปพื้นที่ที่ครอบคลุมโดยสารประกอบจะเพิ่มขึ้น หากอัตราการไหลของก๊าซปฏิกิริยาไม่สามารถปรับได้ในเวลาอัตราการเพิ่มขึ้นของพื้นที่ที่ครอบคลุมโดยสารประกอบไม่สามารถระงับได้และช่องสปัตเตอร์จะถูกครอบคลุมโดยสารประกอบเพิ่มเติม เมื่อเป้าหมายสปัตเตอร์ถูกปกคลุมด้วยสารประกอบอย่างสมบูรณ์เมื่อเป้าหมายถูกวางยาพิษอย่างสมบูรณ์

ประการที่สามปรากฏการณ์ของการเป็นพิษเป้าหมาย

(1) การสะสมไอออนบวก: เมื่อเป้าหมายถูกวางยาพิษฟิล์มฉนวนจะเกิดขึ้นบนพื้นผิวเป้าหมาย เมื่อไอออนบวกถึงพื้นผิวเป้าหมายแคโทดเนื่องจากการปิดกั้นของชั้นฉนวนพวกเขาไม่สามารถเข้าสู่พื้นผิวเป้าหมายแคโทดโดยตรง แต่สะสมบนพื้นผิวเป้าหมายซึ่งมีแนวโน้มที่จะเป็นสนามเย็น การปล่อยอาร์ค - การนัดหยุดงานที่ป้องกันไม่ให้สปัตเตอร์ดำเนินการ

(2) ขั้วบวกหายไป: เมื่อเป้าหมายถูกวางยาพิษฟิล์มฉนวนก็จะถูกวางไว้บนผนังของห้องสูญญากาศที่มีสายดินและอิเล็กตรอนถึงขั้วบวกไม่สามารถเข้าสู่ขั้วบวกได้ส่งผลให้เกิดการหายไปของขั้วบวก

ประการที่สี่คำอธิบายทางกายภาพของการเป็นพิษเป้าหมาย

(1) โดยทั่วไปค่าสัมประสิทธิ์การปล่อยอิเล็กตรอนทุติยภูมิของสารประกอบโลหะสูงกว่าโลหะ หลังจากเป้าหมายถูกวางยาพิษพื้นผิวของเป้าหมายจะถูกปกคลุมด้วยสารประกอบโลหะ หลังจากถูกทิ้งระเบิดด้วยไอออนจำนวนอิเล็กตรอนรองที่ปล่อยออกมาเพิ่มขึ้นซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของพื้นที่ การนำไฟฟ้าลดความต้านทานพลาสมาส่งผลให้แรงดันไฟฟ้าสปัตเตอร์ลดลง ดังนั้นอัตราการสปัตเตอร์จะลดลง โดยทั่วไปแรงดันไฟฟ้าสปัตเตอร์ของแมกนีตรอนสปัตเตอร์อยู่ระหว่าง 400V ถึง 600V เมื่อเกิดพิษเป้าหมายแรงดันไฟฟ้าสปัตเตอร์จะลดลงอย่างมีนัยสำคัญ

(2) อัตราการสปัตเตอร์ของเป้าหมายโลหะและเป้าหมายสารประกอบแตกต่างกัน โดยทั่วไปค่าสัมประสิทธิ์โลหะสปัตเตอร์สูงกว่าของสารประกอบดังนั้นอัตราการสปัตเตอร์จะต่ำหลังจากเป้าหมายถูกวางยาพิษ

(3) ประสิทธิภาพการสปัตเตอร์ของก๊าซสปัตเตอร์ปฏิกิริยานั้นต่ำกว่าก๊าซเฉื่อยโดยเนื้อแท้ดังนั้นเมื่อสัดส่วนของก๊าซปฏิกิริยาเพิ่มขึ้นอัตราการสปัตเตอร์โดยรวมจะลดลง

ประการที่ห้าวิธีแก้ปัญหาการเป็นพิษ

(1) ใช้แหล่งจ่ายไฟความถี่ระดับกลางหรือแหล่งจ่ายไฟความถี่วิทยุ

(2) การควบคุมวงปิดของการไหลเข้าของก๊าซปฏิกิริยาถูกนำมาใช้

(3) การใช้เป้าหมายคู่

(4) ควบคุมการเปลี่ยนแปลงของโหมดการเคลือบ: ก่อนหน้า การเคลือบ รวบรวมเส้นโค้งเอฟเฟกต์ hysteresis ของพิษเป้าหมายเพื่อให้การไหลเวียนของไอดีถูกควบคุมที่ด้านหน้าของพิษเป้าหมายเพื่อให้แน่ใจว่ากระบวนการอยู่ในโหมดเสมอก่อนที่อัตราการสะสมจะลดลงอย่างรวดเร็ว